文献

J-GLOBAL ID：201602216772666182   整理番号：16A0800353

二次元材料HfS₂を用いたMOSトランジスタ

著者 (3件)： 金澤徹 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 科学技術創成研究院 未来産技研) ,  宮本恭幸 (東京工大)
資料名： 機能材料  (Function & Materials)
巻： 36  号： 9  ページ： 46-52  発行年： 2016年09月05日 
JST資料番号： Y0021A  ISSN： 0286-4835  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単原子層までのチャネル薄層化が可能な二次元層状物質は将来の極短チャネルMOSトランジスタへの応用が期待されている。本稿では,新たな二次元材料であるHfS₂についてトランジスタへの応用を主眼に,半導体材料としての基本的な物性,試作したトランジスタの特性や今後の課題など,筆者らの取り組みを中心に紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *ハフニウム化合物 ,  *硫化物 ,  *MOSFET ,  *二次元 ,  *積層材料 ,  遷移金属化合物 ,  カルコゲン化物 ,  結晶 ,  電流電圧特性 ,  電気二重層 ,  LSI【IC】 ,  短チャネル効果 ,  単原子層 ,  膜厚 ,  長さ ,  キャリア移動度 ,  半導体素子 ,  超薄膜 ,  結晶構造 ,  チャネル ,  表面処理 ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  二次元結晶 ,  電子移動度 ,  表面保護
準シソーラス用語： バックゲート ,  チャネル長

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 二次元材料 ,  MOSトランジスタ