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J-GLOBAL ID：201602217182285094   整理番号：16A1264161

窒素プラズマ活性化貼付法で作製したGaInAsP/SOIハイブリッドレーザの発振特性向上

Improvement in Lasing Characteristics of A GaInAsP/SOI Hybrid Laser Fabricated by N₂ Plasma Activated Bonding

著者 (13件)： 林侑介 (東京工大) ,  鈴木純一 (東京工大) ,  井上慧史 (東京工大) ,  伊東憲人 (東京工大) ,  永坂久美 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 未来産技研) ,  雨宮智宏 (東京工大 電気電子系) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大 未来産技研) ,  西山伸彦 (東京工大 電気電子系) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 未来産技研) ,  荒井滋久 (東京工大 電気電子系)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 274(OPE2016 76-97)  ページ： 7-12  発行年： 2016年10月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 直接貼り付けを用いたIII-V/Siハイブリッドレーザは,シリコンフォトニクス上の光源として有望視されている。窒素プラズマ活性化貼り付け法は従来の直接貼り付け法と比較して,低温加熱で高い貼り付け強度の実現が可能であり,これを利用することで高効率ハイブリッドレーザの実現が期待される。今回,窒素プラズマ活性化貼り付け法を用いてSi導波路上GaInAsP/SOIハイブリッドレーザを作製し,室温連続発振動作を確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： ハイブリッド方式 ,  *半導体レーザ ,  ヒ化リン化インジウムガリウム ,  SOI構造 ,  活性化 ,  プラズマ ,  オプトエレクトロニクス ,  連続発振 ,  窒素プラズマ ,  シリコンフォトニクス
準シソーラス用語： GaInAsP

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： 窒素 ,  プラズマ活性化 ,  貼付 ,  作製 ,  GaInAsP ,  SOI ,  レーザ ,  発振特性