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J-GLOBAL ID：201602236793949539   整理番号：16A0942311

HfO₂パッシベーションによるHfS₂FETの特性改善

著者 (10件)： 金澤徹 (東京工大) ,  UPADHYAYA Vikrant (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  雨宮智宏 (理研) ,  石川篤 (岡大) ,  石川篤 (理研) ,  鶴田健二 (岡大) ,  田中拓男 (理研) ,  田中拓男 (東京工大) ,  宮本恭幸 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.16a-A32-3  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 酸化ハフニウム ,  硫化物 ,  *ハフニウム化合物 ,  *FET【トランジスタ】 ,  薄膜 ,  *不動態化 ,  バンドギャップ ,  *改変
準シソーラス用語： パッシベーション

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： HfO2 ,  パッシベーション ,  特性改善