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J-GLOBAL ID：201602264506151965   整理番号：16A1063322

窒素プラズマ活性化接合法で作製したGaInAsP/SOIハイブリッドレーザの室温連続発振動作

著者 (10件)： 林侑介 (東京工大) ,  鈴木純一 (東京工大) ,  井上慧史 (東京工大) ,  伊東憲人 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 科学技術創成研) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大 科学技術創成研) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 科学技術創成研)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM)  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集(CD-ROM))
巻： 2016  号： ソサイエティ大会  ページ： ROMBUNNO.C-4-17  発行年： 2016年09月06日 
JST資料番号： G0508B  ISSN： 1349-144X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  *半導体レーザ ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *プリント基板 ,  プラズマ ,  活性化 ,  接合 ,  連続レーザ ,  *SOI基板 ,  窒素プラズマ ,  シリコンフォトニクス
準シソーラス用語： Siフォトニクス ,  *GaInAsP ,  連続発振レーザ

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (8件)： 窒素 ,  プラズマ活性化 ,  作製 ,  GaInAsP ,  SOI ,  レーザ ,  室温 ,  連続発振