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J-GLOBAL ID：201602278405509318   整理番号：16A0913292

AlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドFPレーザの作製

Fabrication of GaInAsP/SOI Hybrid Fabry-Perot Laser with AlInAs-oxide Confinement Structure

著者 (11件)： 鈴木純一 (東京工大) ,  林侑介 (東京工大) ,  井上慧史 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 未来産技研) ,  雨宮智宏 (東京工大 電気電子系) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大 未来産技研) ,  荒井滋久 (東京工大 未来産技研) ,  西山伸彦 (東京工大 電気電子系) ,  荒井滋久 (東京工大 電気電子系)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 191(R2016 19-41)  ページ： 9-14  発行年： 2016年08月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高効率III-V/SOIハイブリッドレーザ実現に向け,光閉じ込めも可能なAlInAs酸化電流狭窄構造を有するFabry-Perot(FP)共振器レーザを試作し,この方法によるIII-V/SOIハイブリッドレーザとして初めての発振動作を得た。まず,シミュレータによるレーザ特性の見積もりを行い,従来のIII-V族化合物半導体ベースのレーザと同等の低いしきい値電流,高い外部微分量子効率が得られることを示した。つぎに,酸化時の熱処理前後におけるPLスペクトルおよび強度の比較を行い,この酸化プロセスは活性層に影響を与えないことを確認した。同プロセスを用いて5層量子井戸活性層を有するFPレーザを作製した結果,AlInAs未酸化幅4.5μm,共振器長500μmの素子において,室温パルス動作下でしきい値電流50mA,前端面からの外部微分量子効率11%が得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  ヒ化物 ,  ヒ化リン化インジウムガリウム ,  SOI構造 ,  複合構造 ,  オプトエレクトロニクス ,  熱酸化 ,  シリコンフォトニクス ,  ヒ化インジウムアルミニウム
準シソーラス用語： *Fabry-Perot半導体レーザ ,  ヒ化アルミニウムインジウム ,  ハイブリッド構造

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlInAs ,  酸化 ,  狭窄 ,  GaInAsP ,  SOI ,  FP ,  レーザ ,  作製