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J-GLOBAL ID：201602282752418700   整理番号：16A1264160

半導体薄膜分布反射型レーザの高効率動作化に向けた検討

Investigation on the High Efficiency Operation of Semiconductor Membrane Distributed-Reflector Laser

著者 (8件)： 冨安高弘 (東京工大) ,  平谷拓生 (東京工大) ,  井上大輔 (東京工大) ,  福田快 (東京工大) ,  瓜生達也 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 274(OPE2016 76-97)  ページ： 1-6  発行年： 2016年10月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年のLSIはスケーリング則に沿った素子の微細化により高集積化,高速化を実現してきたが,配線層上部のグローバル配線において信号遅延や発熱などが問題となっている。これらの問題を解決するための方法の一つとして光配線層の導入が提案されており,その実現には小型で極低消費電力かつ高効率動作が可能な光源が要求される。我々はLSI上光配線を目的として,低消費電力・高効率動作が期待できるIII-V族半導体薄膜レーザを提案し,これまでに薄膜分布反射型レーザでの低しきい値電流動作およびDFB構造より優れた片方向光出力特性を得た。今回,薄膜分布反射型レーザの高効率動作化に向けた検討を行い,新たに試作したDFB領域長30μm,DBR領域長100μmの素子において,しきい値電流0.42mA,前端面からの外部微分量子効率19%および光出力の前後比9.5が得られた。さらに,最も高い外部微分量子効率が得られたDFB領域長50μm,DBR領域長100μmの素子においては,しきい値電流0.55mA,前端面からの外部微分量子効率29%が得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： *分布帰還形レーザ ,  *半導体レーザ ,  配線 ,  リン化インジウム ,  効率化 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  III-V半導体 ,  改変
準シソーラス用語： DFBレーザ ,  光配線 ,  高効率化 ,  III-V族半導体

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体薄膜 ,  分布 ,  レーザ ,  高効率