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J-GLOBAL ID：201602288092650332   整理番号：16A0395755

BaTiO₃のバンド構造におけるイオン欠損効果

著者 (9件)： 押目典宏 (岡山大 大学院) ,  狩野旬 (岡山大 大学院) ,  狩野旬 (JST-さきがけ) ,  池田直 (岡山大 大学院) ,  寺西貴志 (岡山大 大学院) ,  大崎浩司 (岡山大 大学院) ,  藤井達生 (岡山大 大学院) ,  上田剛慈 (岡山大 大学院) ,  大久保智子 (岡山大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 71  号： 1  ページ： ROMBUNNO.21AAF-3  発行年： 2016年03月22日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *チタン酸バリウム ,  酸素欠乏 ,  バリウム ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  *バンド構造 ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  不純物準位

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： BaTiO3 ,  バンド構造 ,  イオン ,  欠損