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J-GLOBAL ID：201602290465668215   整理番号：16A0444814

BaTiO₃粉末のバンド構造におけるイオン欠損・置換効果(II)

著者 (8件)： 押目典宏 (岡山大) ,  狩野旬 (岡山大) ,  狩野旬 (JST-さきがけ) ,  池田直 (岡山大) ,  寺西貴志 (岡山大) ,  藤井達生 (岡山大) ,  上田剛慈 (岡山大) ,  大久保智子 (岡山大)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 2016  ページ： ROMBUNNO.1P033  発行年： 2016年03月01日 
JST資料番号： X0505B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *チタン酸バリウム ,  粉体 ,  *バンドギャップ ,  イオン化ポテンシャル ,  効果 ,  ドーピング ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  点欠陥 ,  *N型半導体 ,  酸素欠陥
準シソーラス用語： バリウム欠損 ,  酸素欠損 ,  *置換効果

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： BaTiO3 ,  粉末 ,  バンド構造 ,  イオン ,  欠損 ,  置換効果