特許

J-GLOBAL ID：201603001498965587

誘電体薄膜

発明者： 長田 貴弘 ,  ソム クマラグルバラン ,  知京 豊裕 ,  高橋 健一郎 ,  李 成奇 ,  鈴木 摂 ,  恒川 吉文
出願人/特許権者： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-171406
公開番号（公開出願番号）：特開2016-044350
出願日： 2014年08月26日
公開日（公表日）： 2016年04月04日
要約：

【課題】Biを含有する誘電体でBiの拡散・表面析出を効果的に抑止することで、この誘電体薄膜を用いたキャパシタの特性劣化等を防止する。 【解決手段】誘電体層とTaを含有するバリア層との積層構造の薄膜とすることで、誘電体中のBiの拡散をバリア層で阻止する。このTa積層(不均一)添加構造をトルことで、薄膜全体の平均Ta濃度を比較的低い値に維持して誘電体としての特性の悪化を抑えながら、TaによるBiの拡散抑止効果を充分に発揮させることができる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

Biを含む誘電体層とBiの拡散を抑止する元素を含むバリア層とを交互積層した誘電体薄膜。

IPC (4件)：

C23C 14/08 ,  H01B 3/12 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12

FI (6件)：

C23C14/08 K ,  H01B3/12 303 ,  H01B3/12 318Z ,  H01G4/06 102 ,  H01G4/12 397 ,  H01G4/12 394

Fターム (32件)：

4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029CA02 ,  4K029DB14 ,  4K029DB20 ,  4K029EA01 ,  4K029GA01 ,  5E001AB06 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH03 ,  5E001AJ02 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082PP09 ,  5G303AA01 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB05 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB21 ,  5G303CB32 ,  5G303CB33 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40