金属(X)ドープバナジン酸ビスマスの製造方法および金属(X)ドープバナジン酸ビスマス

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (2件)：正林真之 , 林一好
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-181358
公開番号（公開出願番号）：特開2016-064976
出願日： 2015年09月15日
公開日（公表日）： 2016年04月28日
要約：

【課題】水を分解して水素を製造する光触媒に用いるシーライト構造モノクリニック相のBiVO4の高性能化のため、金属がドープされたBiVO4、及び、その製造方法の提供。【解決手段】周期律表の第2族〜第15族に含まれる元素から選ばれる1種以上の金属(X)をバナジン酸塩に予めドープし、更にビスマスイオンと接触させるビスマス化工程を含む、この工程により金属(X)ドープバナジン酸塩を安定化することができ、得られる金属(X)ドープBiVO4の粒子形状を制御することもできる金属(X)ドープBiVO4の製造方法。BiVO4にドープする金属(X)としては、電気伝導率を高めることができる点で、Mo又はWが最も好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

周期律表の第2族〜第15族に含まれる元素から選ばれる1種以上の金属(X)をドープしたバナジン酸塩をビスマスイオンと接触させるビスマス化工程を含む、金属(X)ドープバナジン酸ビスマスの製造方法。

IPC (2件)：

C01G 31/00 , B01J 23/31

FI (2件)：

C01G31/00 , B01J23/31 M

Fターム (56件)：

4G048AA03 , 4G048AB02 , 4G048AC08 , 4G048AD03 , 4G048AD06 , 4G048AE05 , 4G169AA02 , 4G169AA06 , 4G169AA08 , 4G169AA09 , 4G169BA48A , 4G169BB01A , 4G169BB01B , 4G169BB06A , 4G169BB06B , 4G169BC25A , 4G169BC25B , 4G169BC54A , 4G169BC54B , 4G169BC59A , 4G169BC59B , 4G169BC60A , 4G169BC60B , 4G169BD02A , 4G169BD02B , 4G169CC33 , 4G169DA08 , 4G169EA01X , 4G169EA01Y , 4G169EC22X , 4G169EC25 , 4G169EC27 , 4G169FA01 , 4G169FB06 , 4G169FB07 , 4G169FB30 , 4G169FB34 , 4G169FB36 , 4G169FB57 , 4G169FB77 , 4G169FB78 , 4G169FC02 , 4G169FC07 , 4G169FC08 , 4G169FC10 , 4G169HA02 , 4G169HA05 , 4G169HA14 , 4G169HB06 , 4G169HC02 , 4G169HC08 , 4G169HC29 , 4G169HD03 , 4G169HD04 , 4G169HE09 , 4G169HF10

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