特許
J-GLOBAL ID：201603012557784747
分散されたデンドリマー化合物の粒子を表面に有する基板の製造方法、及びデンドリマー化合物の分散粒子を表面に有する基板
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
正林 真之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-172578
公開番号（公開出願番号）：特開2013-034939
特許番号：特許第5854692号
出願日： 2011年08月08日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記一般式(1)で表されるフェニルアゾメチンデンドリマー化合物を溶媒に溶解させて溶液を調製し、当該溶液を基板の表面に塗布する塗布工程と、前記基板の表面に塗布された溶液から溶媒を揮発させる揮発工程とを含み、
前記溶液に含まれる前記フェニルアゾメチンデンドリマー化合物の濃度が5μmol/L以下であり、
前記分散されたデンドリマー粒子の、AFM(原子間力顕微鏡)の観察から算出された、前記分散粒子の前記基板表面からの平均高さが5nm未満である、
分散されたデンドリマー化合物の粒子を表面に有する基板の製造方法。
(上記一般式(1)中のAは、フェニルアゾメチンデンドリマーの中核分子基であり、次式
の構造で表され、R1は、置換基を有してもよい芳香族基を表し、pは、R1への結合数を表し;
上記一般式(1)中のBは、前記Aに対して1個のアゾメチン結合を形成する次式
の構造で表され、R2は、同一又は異なって置換基を有してもよい芳香族基を表し;
上記一般式(1)中のRは、末端基として前記Bにアゾメチン結合を形成する次式
の構造で表され、R3は、同一又は異なって置換基を有してもよい芳香族基を表し;
nは、フェニルアゾメチンデンドリマーの前記Bの構造を介しての世代数を表し;
mは、フェニルアゾメチンデンドリマーの末端基Rの数を表し、n=0のときはm=pであり、n≧1のときはm=2npである。)
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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