特許
J-GLOBAL ID：201603019929211085
ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法、メッキ液及びナノデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平山 一幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-503464
特許番号：特許第5942297号
出願日： 2012年02月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属層がギャップを有して対で配置されている基板を、金属イオンを含む電解液に還元剤及び界面活性剤が混入されてなる無電解メッキ液に浸漬することにより、上記還元剤により金属イオンが還元されて金属が上記金属層に析出しつつ上記界面活性剤が該金属の表面に付着してギャップの長さをナノメートルサイズに制御した電極対を形成する、ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 21/288 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 29/66 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, B82Y 40/00 ( 201 1.01)
, B82Y 30/00 ( 201 1.01)
H01L 21/288 E
, H01L 29/78 622
, H01L 29/66 S
, H01L 29/06 601 N
, B82Y 40/00
, B82Y 30/00
