特許
J-GLOBAL ID：201603020794581772
有機半導体薄膜、有機半導体素子および有機電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人SSINPAT
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-060908
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197193
特許番号：特許第5958988号
出願日： 2012年03月16日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記式(1)で表される化合物を含有する有機半導体薄膜。
[式(1)中、Xは、酸素、硫黄またはセレンである。]
IPC (4件)：
H01L 51/05 ( 200 6.01)
, H01L 21/363 ( 200 6.01)
, H01L 51/30 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 29/28 100 A
, H01L 21/363
, H01L 29/28 250 H
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 616 U
, H01L 29/78 616 V
