特許
J-GLOBAL ID：201603021390524054
カーボンナノチューブの製造方法、及びカーボンナノチューブ生成触媒
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
正林 真之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-089152
公開番号（公開出願番号）：特開2013-010683
特許番号：特許第5892841号
出願日： 2012年04月10日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属元素が配位することのできる窒素原子を少なくとも1つ有する含窒素デンドリマー化合物に8、9又は10族の遷移金属元素を配位させた化合物からなる触媒を基板の表面に付着させる触媒付着工程と、
前記触媒の付着した基板の表面に炭素化合物を供給しながら、当該炭素化合物を前記基板の近傍で熱分解させる熱分解工程とを含むカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記含窒素デンドリマー化合物が、下記一般式(1)で表されるフェニルアゾメチンデンドリマー化合物である、カーボンナノチューブの製造方法。
(上記一般式(1)中のAは、フェニルアゾメチンデンドリマーの中核分子基であり、次式
の構造で表され、R1は、置換基を有してもよい芳香族基を表し、pは、R1への結合数を表し;
上記一般式(1)中のBは、前記Aに対して1個のアゾメチン結合を形成する次式
の構造で表され、R2は、同一又は異なって置換基を有してもよい芳香族基を表し;
上記一般式(1)中のRは、末端基として前記Bにアゾメチン結合を形成する次式
の構造で表され、R3は、同一又は異なって置換基を有してもよい芳香族基を表し;
nは、フェニルアゾメチンデンドリマーの前記Bの構造を介しての世代数を表し;
mは、フェニルアゾメチンデンドリマーの末端基Rの数を表し、n=0のときはm=pであり、n≧1のときはm=2npである。)
IPC (3件)：
C01B 31/02 ( 200 6.01)
, B01J 31/22 ( 200 6.01)
, C07F 15/02 ( 200 6.01)
C01B 31/02 101 F
, B01J 31/22 M
, C07F 15/02
