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J-GLOBAL ID：201702219185218371   整理番号：17A0549863

HfS₂系トンネルトランジスタのデバイスシミュレーション

著者 (7件)： 金澤徹 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  祢津誠晃 (東京工大) ,  VIKRANT Upadhyaya (東京工大) ,  福田浩一 (産業技術総合研) ,  福田浩一 (東京工大) ,  宮本恭幸 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16a-F203-3  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *計算機シミュレーション ,  *FET【トランジスタ】 ,  トンネル効果 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  CAD【計算機】 ,  *電流電圧特性 ,  *計算機利用 ,  *利用
準シソーラス用語： TCAD ,  *TFET ,  *デバイスシミュレーション ,  トンネルトランジスタ ,  二硫化ハフニウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： トンネルトランジスタ ,  デバイスシミュレーション