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J-GLOBAL ID：201702225770632790   整理番号：17A1140435

Si上GaInAs/InP p-i-n薄膜光検出器の感度特性の評価

著者 (7件)： GU Zhichen (東京工大) ,  瓜生達也 (東京工大) ,  中村なぎさ (東京工大) ,  井上大輔 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7a-A504-12  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *赤外検出器 ,  半導体検出器 ,  PIN接合 ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  検出限界 ,  光伝搬 ,  遅延特性 ,  光集積回路 ,  吸収係数 ,  光電流 ,  高感度 ,  PIN半導体検出器 ,  検出能
準シソーラス用語： 検出感度

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  GaInAs ,  InP ,  薄膜 ,  光検出器 ,  感度特性 ,  評価