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J-GLOBAL ID：201702229687822168   整理番号：17A0549125

低微分抵抗を有するGaInAsP/InP半導体薄膜DRレーザ

著者 (7件)： 中村なぎさ (東京工大) ,  冨安高弘 (東京工大) ,  平谷拓生 (東京工大) ,  井上大輔 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15p-422-13  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *リン化インジウム ,  *半導体レーザ ,  半導体薄膜 ,  電気抵抗 ,  *分布帰還形レーザ ,  レーザ出力 ,  レーザ発振 ,  微分抵抗

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 微分抵抗 ,  GaInAsP ,  InP ,  半導体薄膜 ,  レーザ