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J-GLOBAL ID：201702234716321253   整理番号：17A1607121

液滴エピタキシー法により作製したGaAs QDsの発光再結合特性

Investigation of Radiative Recombination of GaAs Quantum Dots Produced by Droplet Epitaxy

著者 (6件)： 岩元杏里 (宮崎大) ,  石塚史典 (宮崎大) ,  大堀大介 (宮崎大) ,  間野高明 (宮崎大) ,  碇哲雄 (宮崎大) ,  福山敦彦 (宮崎大)
資料名： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
号： 46  ページ： 85-88 (WEB ONLY)  発行年： 2017年07月31日 
JST資料番号： U0521A  ISSN： 0540-4924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・液滴エピタキシーを用いて作製した量子ドットの大きさを調整するために,厚さの異なるGaAs量子井戸(QW)層を形成し,その上にGaAs QDsを作製。
・GaAs QW層の厚さを変えることにより,実効的な高さを変化させ,QDsの大きさを制御。
・光ルミネセンス(PL)法を適用し,QDsの実効的高さの違いが発光再結合過程に与える影響を研究。
・実効的高さを増加させるにしたがって,QDs起因の発光ピークは低エネルギー側へシフトし,FWHMは小さくなり,且つ発光強度は増大。
・実効的高さを制御するために挿入したQW層が,発光再結合に強く影響することが判明。

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *再結合放射 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *光ルミネセンス ,  量子ドット ,  量子井戸 ,  FWHM ,  放射強度 ,  *液滴エピタキシー ,  発光強度

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 液滴エピタキシー ,  作製 ,  GaAs ,  再結合