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J-GLOBAL ID：201702238096500874   整理番号：17A1140434

表面活性化接合に向けたAr-FAB照射によるGaInAs/InPウェハのPL特性への影響評価

著者 (5件)： 永坂久美 (東京工大) ,  鈴木純一 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7a-A504-11  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 活性化 ,  ウエハ【IC】 ,  *リン化インジウム ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *異種材料接合 ,  アルゴン ,  原子ビーム ,  部分照射 ,  *光ルミネセンス ,  光集積回路 ,  熱膨張係数 ,  ボンディング【IC】 ,  ビーム
準シソーラス用語： 照射時間 ,  常温接合 ,  表面活性化

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 表面活性化接合 ,  Ar ,  GaInAs ,  InP ,  ウェハ ,  PL ,  影響評価