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J-GLOBAL ID：201702242183094474   整理番号：17A1138885

P3HT:PCBM逆型バルクヘテロ接合太陽電池の光照射による開放電圧上昇と電界誘起光第二次高調波発生法(EFISHG)による内部電界の選択的測定

著者 (3件)： 藤生駿佑 (東京工大 工) ,  田口大 (東京工大 工) ,  間中孝彰 (東京工大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.5p-PA3-41  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ポリヘキシルチオフェン ,  *フラーレン ,  *太陽電池 ,  高分子薄膜 ,  *ヘテロ接合 ,  *紫外線照射 ,  *電圧 ,  *電場効果 ,  *光高調波発生 ,  電場 ,  *ドナー ,  *アクセプタ ,  *光起電力 ,  電流密度 ,  電流電圧特性 ,  *電圧測定 ,  PCBM ,  *逆型有機薄膜太陽電池 ,  バルクヘテロ接合太陽電池 ,  内部電場 ,  第二高調波
準シソーラス用語： P3HT【重合体】 ,  *開放電圧 ,  第二次高調波 ,  *電界誘起光第二次高調波発生 ,  EFISHG

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： P3HT ,  PCBM ,  バルクヘテロ接合太陽電池 ,  光照射 ,  電圧上昇 ,  電界 ,  誘起 ,  第二次高調波