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J-GLOBAL ID：201702244355058444   整理番号：17A0550425

Si基板上薄膜分布反射型レーザの温度依存性

著者 (7件)： 平谷拓生 (東京工大) ,  井上大輔 (東京工大) ,  冨安高弘 (東京工大) ,  福田快 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-F204-5  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  温度依存性 ,  *半導体レーザ ,  ケイ素 ,  *分布帰還形レーザ ,  半導体薄膜 ,  光反射 ,  PN接合 ,  活性層 ,  閾値 ,  レーザ発振 ,  赤外レーザ ,  近赤外線 ,  近赤外レーザ ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *Si基板

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  薄膜 ,  分布 ,  レーザ ,  温度依存性