文献

J-GLOBAL ID：201702256389098290   整理番号：17A0540900

レーザダイシングにおける加工条件がSiCウェハの加工精度に及ぼす影響

著者 (4件)： SILVA Leandro B. (東京工大) ,  酒井康徳 (東京工大) ,  ZHU Jiang (東京工大) ,  吉岡勇人 (東京工大)
資料名： 日本機械学会関東支部総会・講演会講演論文集(CD-ROM)
巻： 22nd  ページ： ROMBUNNO.OS0601  発行年： 2016年03月09日 
JST資料番号： L3954B  ISSN： 2424-2691  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCはSiに比べて優れた特性を有する次世代パワー半導体だが,高硬度,高脆性を有するため,従来技術では高精度なダイシング加工が困難であった。新たな加工方法としてレーザダイシングが注目されている。レーザ照射条件がSiCウェハの加工精度に及ぼす影響を解明できれば,ダイシング加工の高効率化や高精度化が図れる。本研究では,CO2連続レーザを用いてSiCウェハにダイシング加工を行い,レーザの出力及び走査速度が加工精度へ及ぼす影響を検討する。その結果,切断面粗さSa0.56μm,実効加工速度1.25mm/sでSiCウェハの高精度・高能率な切断に成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  電力トランジスタ ,  *切削 ,  レーザ照射 ,  炭酸ガスレーザ ,  熱応力 ,  レーザ出力 ,  速度 ,  *加工精度
準シソーラス用語： *工作精度 ,  CO₂レーザ ,  *SiC ,  *ダイシング加工 ,  パワー半導体 ,  走査速度

分類 (1件)： 特殊加工  (QC04000Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： レーザ ,  ダイシング ,  加工条件 ,  SiC ,  ウェハ ,  加工精度