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J-GLOBAL ID：201702258879816137   整理番号：17A1140995

HfS₂/MoS₂ヘテロジャンクションの温度依存電流特性

著者 (4件)： 祢津誠晃 (東京工大) ,  金澤徹 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  宮本恭幸 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7p-C11-16  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ハフニウム化合物 ,  *硫化物 ,  *硫化モリブデン ,  層状化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ヘテロ接合 ,  *電流電圧特性 ,  *温度依存性 ,  *FET【トランジスタ】 ,  保護膜 ,  *トンネル効果 ,  バンド間トンネリング
準シソーラス用語： キャップ層 ,  バンド間トンネル効果

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： MoS2 ,  温度依存 ,  流特性