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J-GLOBAL ID：201702261376170979   整理番号：17A0037624

フェナセン系薄膜電界効果トランジスタのデバイス構造の改変による伝導特性制御と論理回路応用

著者 (8件)： 三上隆弘 (岡山大 大学院) ,  下侑馬 (岡山大 大学院) ,  浜尾志乃 (岡山大 大学院) ,  江口律子 (岡山大 大学院) ,  後藤秀徳 (岡山大 大学院) ,  岡本秀毅 (岡山大 大学院) ,  久保園芳博 (岡山大 大学院) ,  林靖彦 (岡山大 大学院)
資料名： 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集
巻： 2015  ページ： 70  発行年： 2015年08月01日 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  薄膜トランジスタ ,  *素子構造 ,  導電性 ,  *論理回路 ,  キャリア移動度 ,  電界効果移動度 ,  ポリフェナセン
準シソーラス用語： フェナセン ,  *有機FET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： フェナセン ,  薄膜 ,  電界効果トランジスタ ,  デバイス構造 ,  改変 ,  伝導 ,  論理回路 ,  応用