文献

J-GLOBAL ID：201702271584043292   整理番号：17A1140433

Si上半導体薄膜DRレーザの高効率・高速変調特性

著者 (11件)： 中村なぎさ (東京工大) ,  冨安高弘 (東京工大) ,  冨安高弘 (古河電気工業) ,  平谷拓生 (東京工大) ,  平谷拓生 (住友電気工業) ,  井上大輔 (東京工大) ,  福田快 (東京工大) ,  瓜生達也 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7a-A504-10  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *ケイ素 ,  *分布帰還形レーザ ,  エネルギー変換効率 ,  光変調 ,  レーザ発振 ,  レーザ出力 ,  閾値 ,  被覆層 ,  不純物濃度 ,  振動数 ,  信号変調 ,  弛張発振 ,  クラッド層
準シソーラス用語： 高効率 ,  直接変調

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  半導体薄膜 ,  レーザ ,  高効率 ,  変調