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J-GLOBAL ID：201702272530261021   整理番号：17A1141903

InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発

著者 (5件)： 大澤一斗 (東京工大) ,  金澤徹 (東京工大) ,  木瀬信和 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  宮本恭幸 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.8a-S22-2  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ナノシート ,  *チャネル ,  *ゲート【半導体】 ,  *MOSFET ,  *半導体プロセス ,  縦型 ,  積層構造 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： *マルチゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaAs ,  ナノシート ,  チャネル ,  マルチゲートMOSFET ,  作製 ,  プロセス ,  開発