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J-GLOBAL ID：201702273322209758   整理番号：17A1140432

Si基板上薄膜分布反射型レーザのNRZ及びPAM-4直接変調

著者 (7件)： 瓜生達也 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  平谷拓生 (東京工大) ,  平谷拓生 (住友電気工業 伝送デバイス研) ,  井上大輔 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7a-A504-9  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光変調 ,  ウエハ【IC】 ,  ノンリターンツーゼロ ,  *分布帰還形レーザ ,  ケイ素 ,  *半導体薄膜 ,  PAM【信号】 ,  閾値 ,  ランダム信号 ,  信号変調 ,  量子井戸 ,  電流密度 ,  信号歪 ,  閾値電流 ,  シリコンウエハ ,  歪
準シソーラス用語： Si基板 ,  *直接変調

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si基板 ,  薄膜 ,  分布 ,  レーザ ,  NRZ ,  PAM ,  直接変調