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J-GLOBAL ID：201702273857892043   整理番号：17A0549864

TypeII型HfS₂/MoS₂ヘテロジャンクションを有するTFET

著者 (7件)： 祢津誠晃 (東京工大) ,  金澤徹 (東京工大) ,  UPADHYAYA Vikrant (東京工大) ,  UWANNO Teerayut (東大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  長汐晃輔 (東大) ,  宮本恭幸 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16a-F203-4  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  硫化モリブデン ,  ハフニウム化合物 ,  *FET【トランジスタ】 ,  トンネル効果 ,  *電流電圧特性 ,  素子構造 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ構造 ,  硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： *TFET ,  二硫化ハフニウム ,  二硫化モリブデン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： MoS2 ,  TFET