文献

J-GLOBAL ID：201702274123470912   整理番号：17A1140424

中間層を設けたIII-V/SOIハイブリッドデバイスとSi細線導波路間モード変換器における結合効率のテーパ構造依存性

著者 (8件)： 鈴木純一 (東京工大) ,  永坂久美 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 科学技術創成研究院 未来産技研) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大 科学技術創成研究院 未来産技研) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 科学技術創成研究院 未来産技研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7a-A504-1  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： テーパ構造 ,  *モード変換 ,  依存性 ,  多層構造 ,  化合物半導体 ,  SOI構造 ,  ハイブリッド方式 ,  ケイ素 ,  *光導波路 ,  *変換器 ,  構造依存性 ,  中間層 ,  III-VI半導体
準シソーラス用語： III-VI族化合物半導体 ,  結合効率

分類 (1件)： その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (9件)： 中間層 ,  SOI ,  Si ,  細線 ,  導波路 ,  モード変換器 ,  結合効率 ,  テーパ構造 ,  依存性