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J-GLOBAL ID：201702279136104548   整理番号：17A1140824

プラズマ支援反応性スパッタ製膜を用いた高移動度IGZO薄膜トランジスタの形成(II)

著者 (5件)： 節原裕一 (阪大 接合研) ,  遠藤雅 (阪大 接合研) ,  竹中弘祐 (阪大 接合研) ,  内田儀一郎 (阪大 接合研) ,  江部明憲 (イー・エム・ディー)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7p-A402-10  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： フラットパネルディスプレイ ,  薄膜トランジスタ ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  *半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *キャリア移動度 ,  気体放電 ,  誘導結合プラズマ ,  *物理蒸着 ,  *反応性スパッタリング ,  酸化物半導体 ,  マグネトロン放電 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  プラズマ
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  *プラズマ支援PVD

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  支援 ,  反応性スパッタ ,  製膜 ,  高移動度 ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ