特許

J-GLOBAL ID：201703002420633506

半導体装置およびその製造方法

発明者： 宇佐美 達矢 ,  坂本 圭司 ,  山本 悦章 ,  綿貫 真一 ,  若林 勝 ,  最上 徹 ,  堀川 剛 ,  木下 啓藏
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社 ,  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-174294
公開番号（公開出願番号）：特開2017-049503
出願日： 2015年09月04日
公開日（公表日）： 2017年03月09日
要約：

【課題】性能を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、基体上に形成された絶縁層CLと、絶縁層CL上に形成された半導体層SLからなる光導波路WO11と、絶縁層CLの上面TS1、および、光導波路WO11の表面に沿って形成された絶縁膜IF1と、を有する。光導波路WO11の下面BS1の周縁部BS11は、絶縁層CLから離れ、絶縁膜IF1は、周縁部BS11と絶縁層CLとの間に埋め込まれている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基体と、 前記基体上に形成された絶縁層と、 前記絶縁層上に形成された半導体層からなる第1光導波路と、 前記絶縁層の上面、および、前記第1光導波路の表面に沿って形成された第1絶縁膜と、 を有し、 前記第1光導波路の第1下面の第1周縁部は、前記絶縁層から離れ、 前記第1絶縁膜は、前記第1周縁部と前記絶縁層との間に埋め込まれている、半導体装置。

IPC (3件)：

G02B 6/122 ,  G02B 6/132 ,  G02F 1/025

FI (3件)：

G02B6/122 ,  G02B6/132 ,  G02F1/025

Fターム (40件)：

2H147AB02 ,  2H147AB04 ,  2H147AB05 ,  2H147AB09 ,  2H147AB11 ,  2H147AC02 ,  2H147CD02 ,  2H147DA08 ,  2H147DA09 ,  2H147DA19 ,  2H147EA10D ,  2H147EA12D ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147FA03 ,  2H147FA05 ,  2H147FA24 ,  2H147FA25 ,  2H147FC03 ,  2H147FF01 ,  2H147FF04 ,  2H147FF06 ,  2H147FF08 ,  2H147GA15 ,  2H147GA19 ,  2H147GA25 ,  2K102AA18 ,  2K102BA02 ,  2K102BB04 ,  2K102BC05 ,  2K102BD01 ,  2K102CA28 ,  2K102DA05 ,  2K102DD03 ,  2K102EA02 ,  2K102EA07 ,  2K102EA16 ,  2K102EB22 ,  2K102EB28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光導波路およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-173461   出願人：ソニー株式会社