半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-174295
公開番号（公開出願番号）：特開2017-049504
出願日： 2015年09月04日
公開日（公表日）： 2017年03月09日
要約：

【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】半導体装置の製造方法において、基体SB1上に絶縁層CLを介して、シリコンからなる半導体部SP1および半導体部SP2を形成し、半導体部SP2上にゲルマニウムからなる半導体層SL2を含む半導体部SP3を形成する。次に、半導体部SP1の上方に、絶縁膜IF2を形成し、絶縁膜IF2の上面から半導体部SP1に達する開口部OP2を形成し、開口部OP2に露出した部分の半導体部SP1の上面に、金属シリサイド層MS1を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

(a)基体と、前記基体上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、シリコンからなる第1半導体層と、を有する半導体基板を用意する工程、 (b)前記第1半導体層をパターニングし、前記第1半導体層からなる第1半導体部、および、前記第1半導体層からなる第2半導体部を形成する工程、 (c)前記第1半導体部上、および、前記第2半導体部上に、第1絶縁膜を形成する工程、 (d)前記第1絶縁膜を貫通して前記第2半導体部に達する第1開口部を形成する工程、 (e)前記第1開口部に露出した部分の前記第2半導体部上に、ゲルマニウムからなる第2半導体層を含む第3半導体部を形成する工程、 (f)前記(e)工程の後、前記第1半導体部の上方に、第2絶縁膜を形成する工程、 (g)前記第2絶縁膜の上面から前記第1半導体部に達する第2開口部を形成する工程、 (h)前記第2開口部に露出した部分の前記第1半導体部の上面に、金属シリサイド層を形成する工程、 (i)前記金属シリサイド層上に、第1接続電極を形成する工程、を有する、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

G02F 1/025 , G02B 6/132 , G02B 6/12 , H01L 31/10

FI (4件)：

G02F1/025 , G02B6/132 , G02B6/12 301 , H01L31/10 A

Fターム (45件)：

2H147AB02 , 2H147AB05 , 2H147AB09 , 2H147AB11 , 2H147AC02 , 2H147BA05 , 2H147DA09 , 2H147EA10D , 2H147EA12D , 2H147EA13A , 2H147EA13C , 2H147EA14B , 2H147FA03 , 2H147FA05 , 2H147FA09 , 2H147FA25 , 2H147FB13 , 2H147FC01 , 2H147FF06 , 2H147FF07 , 2H147GA28 , 2K102AA18 , 2K102BA02 , 2K102BB04 , 2K102BC05 , 2K102BD01 , 2K102CA28 , 2K102DA05 , 2K102EA02 , 2K102EA07 , 2K102EA16 , 2K102EB22 , 2K102EB28 , 5F849AA03 , 5F849AA04 , 5F849AB03 , 5F849BA30 , 5F849BB01 , 5F849DA06 , 5F849EA11 , 5F849FA05 , 5F849GA05 , 5F849LA01 , 5F849XB37 , 5F849XB40

引用特許：

審査官引用 (3件)

シリコン・フォトニクスプラットフォーム上でのフォトニックデバイスの共集積化
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-106604 出願人：アイメック, ウニフェルジテイト・ヘント
光半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-165162 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-007667 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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