特許

J-GLOBAL ID：201703003382091253

バナジン酸ビスマス積層体の製造方法及びバナジン酸ビスマス積層体

発明者： 工藤 昭彦 ,  ジア チンシン ,  岩瀬 顕秀
出願人/特許権者： 学校法人東京理科大学 ,  三井化学株式会社 ,  人工光合成化学プロセス技術研究組合
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2014055490
公開番号（公開出願番号）：WO2014-136783
出願日： 2014年03月04日
公開日（公表日）： 2014年09月12日
要約：

新しいBiVO4積層体の製造方法及びBiVO4積層体を提供する。 バナジウム塩とビスマス塩とを含む前駆体溶液中に、マイクロ波で加熱可能な基板を配置し、マイクロ波支援化学浴析出法(MW-CBD)により、上記基板上にバナジン酸ビスマス層を形成し、必要に応じて焼成処理して、バナジン酸ビスマス積層体を製造する。このようにして製造されたバナジン酸ビスマス積層体は、光触媒や光電極に好適に利用することができる。

請求項（抜粋）：

バナジウム塩とビスマス塩とを含む前駆体溶液中に、マイクロ波で加熱可能な基板を配置し、マイクロ波支援化学浴析出法(MW-CBD)により、前記基板上にバナジン酸ビスマス層を形成する工程を含むバナジン酸ビスマス積層体の製造方法。

IPC (5件)：

C01G 31/00 ,  B01J 23/22 ,  B01J 35/02 ,  B01J 37/34 ,  B01J 37/02

FI (6件)：

C01G31/00 ,  B01J23/22 M ,  B01J35/02 J ,  B01J37/34 ,  B01J37/02 301N ,  B01J37/02 301M

Fターム (42件)：

4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AB06 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  4G169AA02 ,  4G169AA08 ,  4G169AA09 ,  4G169AA12 ,  4G169BA21C ,  4G169BA48A ,  4G169BB06A ,  4G169BB06B ,  4G169BC25A ,  4G169BC25B ,  4G169BC54A ,  4G169BC54B ,  4G169BE19C ,  4G169CC33 ,  4G169DA05 ,  4G169EA08 ,  4G169EC22X ,  4G169EC22Y ,  4G169EC25 ,  4G169EC27 ,  4G169EC28 ,  4G169FA01 ,  4G169FA03 ,  4G169FB21 ,  4G169FB23 ,  4G169FB30 ,  4G169FB58 ,  4G169FC03 ,  4G169FC08 ,  4G169HA01 ,  4G169HA02 ,  4G169HB06 ,  4G169HC08 ,  4G169HD06 ,  4G169HE09