特許

J-GLOBAL ID：201703005096145390

ナノデバイス

発明者： 真島 豊 ,  寺西 利治 ,  加納 伸也 ,  青山 詠樹
出願人/特許権者： 国立研究開発法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 平山 一幸
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2015073917
公開番号（公開出願番号）：WO2016-031836
出願日： 2015年08月25日
公開日（公表日）： 2016年03月03日
要約：

金属ナノ粒子の電荷状態を制御可能なナノデバイスを提供する。ナノサイズのギャップを有するように一方の電極5Aと他方の電極5Bとが配置されて成るナノギャップ電極5と、ナノギャップ電極5の間に設けられるナノ粒子7と、複数のゲート電極9と、を備え、複数のゲート電極9のうち少なくとも一つをフローティングゲート電極として用い、ナノ粒子7の電荷状態を制御する。これにより、多値メモリ、書き換え可能な論理演算処理が実現される。

請求項（抜粋）：

ナノサイズのギャップを有するように一方の電極と他方の電極とが配置されて成るナノギャップ電極と、 上記ナノギャップ電極間に設けられるナノ粒子と、 複数のゲート電極と、を備え、 上記複数のゲート電極のうち少なくとも一つをフローティングゲート電極として用い、前記ナノ粒子の電荷状態を制御する、ナノデバイス。

IPC (8件)：

H01L 27/10 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/786 ,  B82Y 10/00 ,  G11C 16/04 ,  G11C 11/56 ,  G11C 13/00

FI (9件)：

H01L27/10 451 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/66 S ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 617N ,  B82Y10/00 ,  G11C16/04 100 ,  G11C11/56 200 ,  G11C13/00 245

Fターム (31件)：

5B225BA08 ,  5B225BA19 ,  5B225FA02 ,  5B225FA05 ,  5B225FA07 ,  5F083FZ01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083ZA21 ,  5F110AA30 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB13 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE27 ,  5F110EE43 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14