プラズマ処理装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (3件)：中尾俊輔 , 伊藤高英 , 前野房枝
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013060626
公開番号（公開出願番号）：WO2014-167626
出願日： 2013年04月08日
公開日（公表日）： 2014年10月16日
要約：

【課題】本発明においては、密度分布にバラツキのあるプラズマ中において、プラズマ密度の高い領域を選択的に通過させて長尺状の被処理物の表面に満遍なく均一に表面処理が可能なプラズマ処理方法およびこのプラズマ処理方法を用い、操作性に優れたプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】長尺状の被処理物Wに対してプラズマを接触させることによりプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記プラズマには、密度分布にバラツキがあり、前記長尺状の被処理物Wを、前記プラズマの密度が高い領域を選択的に通過させながら前記長尺状の被処理物Wにプラズマ処理を施すプラズマ処理方法およびこのプラズマ処理方法を用いたプラズマ処理装置並びにプラズマ処理を施した長尺物。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

長尺状の被処理物に対してプラズマを接触させることによりプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記プラズマには、密度分布にバラツキがあり、前記長尺状の被処理物を、前記プラズマの密度が高い領域を選択的に通過させながら前記長尺状の被処理物にプラズマ処理を施すことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

B01J 19/08 , H05H 1/24 , C08J 7/00

FI (4件)：

B01J19/08 H , H05H1/24 , C08J7/00 306 , C08J7/00

Fターム (70件)：

2G084AA05 , 2G084AA07 , 2G084BB02 , 2G084BB05 , 2G084BB07 , 2G084BB11 , 2G084BB12 , 2G084BB14 , 2G084BB22 , 2G084BB35 , 2G084BB36 , 2G084CC03 , 2G084CC19 , 2G084CC34 , 2G084DD01 , 2G084DD12 , 2G084DD13 , 2G084DD15 , 2G084DD17 , 2G084DD22 , 2G084DD23 , 2G084DD25 , 2G084DD32 , 2G084DD63 , 2G084DD66 , 2G084FF01 , 2G084FF06 , 2G084FF07 , 2G084FF08 , 2G084FF11 , 2G084FF15 , 2G084FF18 , 2G084FF23 , 2G084FF31 , 2G084FF32 , 2G084FF38 , 2G084FF39 , 2G084FF40 , 4F073AA01 , 4F073BA15 , 4F073BA29 , 4F073BB01 , 4F073CA01 , 4F073CA04 , 4F073CA07 , 4F073CA08 , 4F073CA09 , 4F073CA11 , 4F073CA62 , 4F073CA65 , 4F073HA04 , 4F073HA08 , 4F073HA09 , 4F073HA11 , 4F073HA14 , 4G075AA29 , 4G075AA30 , 4G075BB10 , 4G075CA47 , 4G075DA02 , 4G075EB41 , 4G075EB42 , 4G075EC21 , 4G075EC25 , 4G075EC30 , 4G075FA01 , 4G075FB02 , 4G075FB12 , 4G075FC11 , 4G075FC15

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