特許
J-GLOBAL ID：201703014202249468
SiC単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185974
公開番号（公開出願番号）：特開2014-043368
特許番号：特許第6069757号
出願日： 2012年08月26日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ケイ素(Si)および炭素(C)を含む反応雰囲気下でSiC種結晶の結晶成長面にSiC単結晶を結晶成長させ、前記SiC種結晶における貫通刃状転位上にSiCからなるステップを進展させる結晶成長工程を備え、
前記SiC種結晶として4H-SiCまたは6H-SiCを用い、
前記結晶成長面は(0001)面であり、
前記結晶成長工程において、前記ステップの進展方向が、以下の(1)〜(3)から選ばれる少なくとも2方向になるように、前記ステップの進展方向に対する前記SiC種結晶の向きを変更して、繰り返し前記ステップを進展させる、SiC単結晶の製造方法。
(1):[-1-120]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満である方向、または、[11-20]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満である方向、
(2):[-2110]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満である方向、または、[2-1-10]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満である方向、
(3):[-12-10]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満となる方向、または、[1-210]方向に対する交差角が-30°以内かつ+30°未満となる方向。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 19/12 ( 200 6.01)
C30B 29/36 A
, C30B 19/12
