特許

J-GLOBAL ID：201703015258577901

発光素子

発明者： 田才 邦彦 ,  仲山 英次 ,  中山 雄介 ,  冨谷 茂隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 山本 孝久 ,  吉井 正明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-239827
公開番号（公開出願番号）：特開2015-099872
特許番号：特許第6103241号
出願日： 2013年11月20日
公開日（公表日）： 2015年05月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層を含む第3化合物半導体層、及び、第1導電型とは異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層が積層されて成り、光出射端面及び光反射端面を有する積層構造体を備えており、 光出射端面は、少なくとも、第2化合物半導体層の端面から構成された光出射端面第2領域、及び、第3化合物半導体層の端面から構成された光出射端面第3領域を有しており、 光出射端面における仮想垂直面と光出射端面第2領域との成す角度をθ2、光出射端面第3領域との成す角度をθ3としたとき、 0度≦|θ3|<|θ2| を満足し、 第2化合物半導体層は、GaNに対して格子歪み量の値が負であり、且つ、格子歪み量の絶対値が0.02%以上である混晶から成り、 第3化合物半導体層は、GaNに対して格子歪み量の値が正である混晶から成る発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/10 ( 200 6.01) ,  H01S 5/323 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01S 5/10 ,  H01S 5/323 610

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体レーザ素子、光源装置および窒化物半導体レーザ素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-093765   出願人：シャープ株式会社
• III族窒化物半導体レーザ素子、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、及びスクライブ溝の形成によるダメージを評価する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-002223   出願人：住友電気工業株式会社
• III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-011117   出願人：住友電気工業株式会社, ソニー株式会社
• 発光素子及び発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-316006   出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "531nm green lasing of InGaN based laser diodes on semi-polar &#123;20-21&#125; free-standing GaN substrates"