特許
J-GLOBAL ID：201703020643833653
金属含有ナノ粒子の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
正林 真之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-037926
公開番号（公開出願番号）：特開2014-162710
特許番号：特許第6053569号
出願日： 2013年02月27日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記一般式(1)で表されるフェニルアゾメチンデンドリマー化合物に金属元素を配位させたデンドリマーの金属錯体とダミー粒子とを含む溶液を用いて、浸漬又は塗布によって、基板の表面に前記デンドリマーの金属錯体と前記ダミー粒子とを担持させる工程と、
前記デンドリマーの金属錯体と前記ダミー粒子とを担持する基板から、前記フェニルアゾメチンデンドリマー化合物と前記ダミー粒子とを除去する工程と、
を含む、金属含有ナノ粒子の製造方法。
(上記一般式(1)中のAは、フェニルアゾメチンデンドリマーの中核分子基であり、次式
の構造で表され、R1は、置換基を有してもよい芳香族基を表し、pは、R1への結合数を表し;
上記一般式(1)中のBは、前記Aに対して1個のアゾメチン結合を形成する次式
の構造で表され、R2は、同一又は異なって置換基を有してもよい芳香族基を表し;
上記一般式(1)中のRは、末端基として前記Bにアゾメチン結合を形成する次式
の構造で表され、R3は、同一又は異なって置換基を有してもよい芳香族基を表し;
nは、フェニルアゾメチンデンドリマーの前記Bの構造を介しての世代数を表し;
mは、フェニルアゾメチンデンドリマーの末端基Rの数を表し、n=0のときはm=pであり、n≧1のときはm=2npである。)
IPC (5件)：
C01G 15/00 ( 200 6.01)
, B82Y 40/00 ( 201 1.01)
, C07C 251/24 ( 200 6.01)
, C07C 249/02 ( 200 6.01)
, C07F 5/00 ( 200 6.01)
C01G 15/00 D
, B82Y 40/00
, C07C 251/24
, C07C 249/02
, C07F 5/00 H
