文献

J-GLOBAL ID：201802213627454139   整理番号：18A0631966

プラズマ支援反応性プロセスを用いた高移動度IGZO薄膜の低温形成

著者 (5件)： 節原裕一 (阪大 接合研) ,  遠藤雅 (阪大 接合研) ,  竹中弘祐 (阪大 接合研) ,  内田儀一郎 (阪大 接合研) ,  江部明憲 (イー・エム・ディー)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18p-C204-8  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  反応成形 ,  誘導結合プラズマ ,  *反応性スパッタリング ,  FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  移動度 ,  化合物半導体 ,  プラズマ曝露 ,  反応性プロセシング ,  高移動度酸化物半導体 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  プラズマ
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  プラズマ照射

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  支援 ,  反応性 ,  プロセス ,  高移動度 ,  IGZO ,  薄膜 ,  低温形成