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J-GLOBAL ID：201802215411888121   整理番号：18A0631840

III-V/Siハイブリッド部分直接接合における非破壊接合状況確認法の提案

著者 (12件)： BAI Liu (東京工大 電気電子系) ,  菊地健彦 (東京工大 電気電子系) ,  菊地健彦 (住友電気工業 伝送デバイス研) ,  鈴木純一 (東京工大 電気電子系) ,  永坂久美 (東京工大 電気電子系) ,  西山伸彦 (東京工大 電気電子系) ,  西山伸彦 (東京工大 未来産技研) ,  八木英樹 (住友電気工業 伝送デバイス研) ,  雨宮智宏 (東京工大 電気電子系) ,  雨宮智宏 (東京工大 未来産技研) ,  荒井滋久 (東京工大 電気電子系) ,  荒井滋久 (東京工大 未来産技研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18p-B201-2  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *異種材料接合 ,  *光ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  非破壊測定 ,  ルミネセンス線量計 ,  透過率 ,  反射率 ,  化合物半導体 ,  ケイ素 ,  オプトエレクトロニクス ,  エピタキシャル層 ,  III-V半導体 ,  シリコンフォトニクス ,  計測器
準シソーラス用語： エピ層 ,  III-V化合物半導体 ,  Siフォトニクス

分類 (2件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  直接接合 ,  状況 ,  提案