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J-GLOBAL ID：201802216105290738   整理番号：18A1700846

プラズマ支援反応性スパッタ製膜を用いた高移動度IGZO薄膜トランジスタの形成(III)

著者 (6件)： 竹中弘祐 (阪大 接合研) ,  遠藤雅 (阪大 接合研) ,  吉谷友希 (阪大 接合研) ,  内田儀一郎 (阪大 接合研) ,  江部明憲 (イー・エム・ディー) ,  節原裕一 (阪大 接合研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.21p-PB1-2  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  *反応性スパッタリング ,  キャリア移動度 ,  誘導結合プラズマ ,  気体放電 ,  マグネトロンスパッタリング ,  マグネトロン放電 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  プラズマ
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  プラズマ支援スパッタリング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  支援 ,  反応性スパッタ ,  製膜 ,  高移動度 ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ