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J-GLOBAL ID：201802225412892961   整理番号：18A0631839

III-V/Siハイブリッド集積技術を利用した光デバイスの展開

著者 (3件)： 西山伸彦 (東京工大 電気電子系) ,  雨宮智宏 (東京工大 電気電子系) ,  荒井滋久 (東京工大 電気電子系)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18p-B201-1  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *異種材料接合 ,  半導体レーザ ,  化合物半導体 ,  ケイ素 ,  プラズマ ,  接着 ,  半導体薄膜 ,  光源 ,  *光学素子 ,  光集積回路 ,  オプトエレクトロニクス ,  表面活性化接合 ,  レーザ光源 ,  III-V半導体 ,  シリコンフォトニクス
準シソーラス用語： III-V化合物半導体 ,  Siフォトニクス

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  集積 ,  光デバイス ,  展開