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J-GLOBAL ID：201802227883652239   整理番号：18A1013741

ジフェニルベンジジン骨格を有するポリイミド薄膜における光電導特性の印加電圧依存性

著者 (4件)： 武政千晶 (東京工大) ,  浅井茂雄 (東京工大) ,  石毛亮平 (東京工大) ,  安藤慎治 (東京工大)
資料名： 高分子学会予稿集(CD-ROM)  (高分子学会討論会予稿集(CD-ROM))
巻： 67  号： 1  ページ： ROMBUNNO.3Pd078  発行年： 2018年05月08日 
JST資料番号： Z0703C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *高分子薄膜 ,  *ポリイミド ,  *光伝導 ,  電圧依存性 ,  光照射 ,  光電流 ,  緩和時間 ,  ラジカルイオン ,  不活性化 ,  キャリア移動度 ,  電荷分離 ,  電子親和力 ,  バンドギャップ ,  キャリア緩和時間 ,  *ポリイミド薄膜 ,  芳香族アミン ,  ジアミン ,  第二アミン
準シソーラス用語： 失活

分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

物質索引 (1件)： N,N′-ジフェニルベンジジン

タイトルに関連する用語 (5件)： 骨格 ,  ポリイミド薄膜 ,  光電導 ,  印加 ,  電圧依存性