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J-GLOBAL ID：201802229353334806   整理番号：18A0632583

ハイブリッド集積に向けたAr-FAB表面活性化接合法のInP/Si接合特性の検討

著者 (7件)： 永坂久美 (東京工大) ,  鈴木純一 (東京工大) ,  御手洗拓矢 (東京工大) ,  WANG Yuning (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.19a-B203-3  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アルゴンビーム ,  混成集積回路 ,  *接合 ,  リン化インジウム ,  ケイ素 ,  *半導体接合 ,  *原子ビーム ,  放射線照射 ,  *表面活性化接合 ,  *ビーム
準シソーラス用語： ハイブリッド集積回路

分類 (3件)： 電子ビーム,イオンビーム  (BD02030F) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 集積 ,  Ar ,  表面活性化接合 ,  InP ,  Si