シンクロトロン光照射によるRu/SiO<sub>x</sub>界面でのRuシリサイドの形成

市川修平; 古川大希; 佐藤和久; 佐藤和久; 今村真幸; 高橋和敏; 保田英洋; 保田英洋

文献

J-GLOBAL ID：201802235375142920 整理番号：18A0633433

シンクロトロン光照射によるRu/SiO_x界面でのRuシリサイドの形成

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資料名：
巻： 65th ページ： ROMBUNNO.19p-F202-12 発行年： 2018年03月05日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜 , X線との相互作用

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シンクロトロン光照射によるRu/SiOx界面でのRuシリサイドの形成

シンクロトロン光照射によるRu/SiO_x界面でのRuシリサイドの形成