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J-GLOBAL ID：201802242771771555   整理番号：18A1698023

埋め込みNiバックゲートを用いたp-MoS₂/HfS₂トンネルFET

著者 (5件)： ZHANG Wenlun (東京工大) ,  祢津誠晃 (東京工大) ,  金澤徹 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  宮本恭幸 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19a-212B-5  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *硫化モリブデン ,  *ハフニウム化合物 ,  硫化物 ,  化合物半導体 ,  層状化合物 ,  素子構造 ,  *傾斜 ,  絶縁膜 ,  静電容量 ,  キャリア捕獲 ,  二酸化ケイ素 ,  埋込み【挿入】 ,  ニッケル ,  *ゲート【半導体】 ,  ヘテロ構造 ,  界面トラップ
準シソーラス用語： *サブスレッシュホールド傾斜 ,  *トンネルFET ,  *バックゲート ,  硫化ハフニウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 埋め込み ,  Ni ,  バックゲート ,  MoS2 ,  トンネルFET