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J-GLOBAL ID：201802250850978067   整理番号：18A0630449

Si上GaInAs/InP p-i-n薄膜光検出器の20Gbps動作

著者 (6件)： GU Zhichen (東京工大) ,  井上大輔 (東京工大) ,  ZHENG Xu (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.17a-B203-1  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *赤外検出器 ,  半導体薄膜 ,  *PIN接合 ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  リン化インジウム ,  光導波路 ,  光集積回路 ,  フォトダイオード ,  遮断周波数 ,  アイパターン ,  誤り率 ,  符号誤り
準シソーラス用語： BER【誤り率】 ,  *PINフォトダイオード

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  GaInAs ,  InP ,  薄膜 ,  光検出器