文献

J-GLOBAL ID：201802258696693632   整理番号：18A1700049

電荷変調分光法による錫ペロブスカイト薄膜のトラップ準位の評価

著者 (4件)： 野間大史 (東京工大 工) ,  田口大 (東京工大 工) ,  間中孝彰 (東京工大 工) ,  岩本光正 (東京工大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20p-PB4-20  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *変調分光法 ,  エネルギー準位 ,  *スズ化合物 ,  電流電圧特性 ,  搬送波 ,  *電荷変調分光法 ,  トラップ準位 ,  *ペロブスカイト太陽電池
準シソーラス用語： *ペロブスカイト型太陽電池 ,  光キャリア

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

物質索引 (1件)： メチルアンモニウム・ヨージド

タイトルに関連する用語 (6件)： 電荷変調分光法 ,  錫 ,  ペロブスカイト ,  薄膜 ,  トラップ準位 ,  評価