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J-GLOBAL ID：201802262974531631   整理番号：18A1698730

デュアルゲートデバイスによるトポロジカル絶縁体表面の磁気輸送特性制御

著者 (9件)： 三澤哲郎 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  三澤哲郎 (産総研 計量標準総合セ) ,  福山康弘 (産総研 計量標準総合セ) ,  中村秀司 (産総研 計量標準総合セ) ,  岡崎雄馬 (産総研 計量標準総合セ) ,  名坂成昭 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  金子晋久 (産総研 計量標準総合セ) ,  浦野千春 (産総研 計量標準総合セ) ,  笹川崇男 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19p-437-1  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  *絶縁体 ,  *輸送現象 ,  磁気 ,  電子系 ,  電気抵抗 ,  キャリア密度 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  Hall抵抗 ,  *磁気輸送
準シソーラス用語： *デュアルゲート

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (3件)： トポロジカル絶縁体 ,  磁気輸送 ,  特性制御