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J-GLOBAL ID：201802269907579675   整理番号：18A0631963

MoS₂膜のスパッタ合成とトランジスタ応用

著者 (1件)： 若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18p-C204-5  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *スパッタリング ,  *トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  *硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  FinFET

分類 (3件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： MoS2 ,  スパッタ ,  トランジスタ ,  応用